1.完成公司IMP/RTP等設(shè)備的導(dǎo)入和安裝驗收，主導(dǎo)相關(guān)工藝設(shè)定，保證設(shè)備符合研發(fā)、量產(chǎn)需要2.根據(jù)公司的項目開發(fā)相關(guān)IMP/RTP等工藝，負(fù)責(zé)IMP/RTP等工藝研發(fā)、量產(chǎn)3.優(yōu)化現(xiàn)有產(chǎn)品IMP/RTP等工藝，提高產(chǎn)品良率以及穩(wěn)定性4.負(fù)責(zé)IMP/RTP等工藝日常維護和監(jiān)控數(shù)據(jù)分析5.制定IMP/RTP等工藝方法、操作規(guī)范等工藝標(biāo)準(zhǔn)化文件6.配合產(chǎn)品工程師完成新產(chǎn)品、新材料導(dǎo)入以及驗證7.負(fù)責(zé)IMP/RTP相關(guān)設(shè)備工藝降本項目8.負(fù)責(zé)新進工程師的IMP/RTP工藝培訓(xùn)9.完成部門規(guī)劃的其它工藝開發(fā)相關(guān)工作以及設(shè)備維護工作職位要求：1.3年以上6/8寸Fab IMP/RTP 工藝崗位經(jīng)驗2.熟悉金屬薄膜以及相關(guān)退火工藝3.整合開發(fā)新的退火工藝平臺薪酬福利：1、具有行業(yè)競爭力的薪資福利；2、多元化假期；3、六險一金；4、團體旅游/拓展、年度體檢；5、團體活動俱樂部、定期培訓(xùn)；6、三節(jié)福利禮金。

晶湛半導(dǎo)體由業(yè)界公認(rèn)的硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延技術(shù)的開拓者程凱博士于2012年3月回國創(chuàng)辦，坐落于蘇州市工業(yè)園區(qū)，擁有國際先進的氮化鎵外延材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化基地，致力于為電力電子以及微顯示等領(lǐng)域提供高品質(zhì)氮化鎵外延材料解決方案，也是目前國際上可供應(yīng)300mm硅基氮化鎵外延產(chǎn)品的先鋒廠商，技術(shù)實力處于國際領(lǐng)軍地位。在公司發(fā)展過程中，晶湛在業(yè)內(nèi)創(chuàng)造過多項創(chuàng)舉。2014年底，晶湛半導(dǎo)體率先在全球發(fā)布商用8英寸硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品，經(jīng)有關(guān)下游客戶驗證，該材料具備全球領(lǐng)先的技術(shù)指標(biāo)和卓越的性能，實現(xiàn)了國內(nèi)氮化鎵產(chǎn)業(yè)的重要升級。2021年9月，晶湛半導(dǎo)體成功發(fā)布12英寸硅基電力電子氮化鎵外延片，贏得了國內(nèi)外廣泛關(guān)注。經(jīng)過多年的專注發(fā)展，晶湛半導(dǎo)體已經(jīng)成為國內(nèi)GaN材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化的領(lǐng)軍企業(yè)，通過與全球數(shù)百家知名半導(dǎo)體科技企業(yè)、高校科研院所客戶建立廣泛深入的合作，多次在行業(yè)頂級期刊Nature Electronics，IEEE Electron DeviceLetters，及國際頂級會議IEDM等發(fā)布相關(guān)創(chuàng)新成果，引起國際半導(dǎo)體界的廣泛關(guān)注和一致好評。晶湛半導(dǎo)體高度重視自主研發(fā)和核心知識產(chǎn)權(quán)工作，在氮化鎵外延領(lǐng)域已掌握多項核心技術(shù), 擁有獨立的自主知識產(chǎn)權(quán)，晶湛半導(dǎo)體目前已在國內(nèi)外累計申請超900項專利，其中已獲得超200項專利授權(quán)。公司還先后榮獲蘇州市技術(shù)發(fā)明一等獎、蘇州工業(yè)園區(qū)專利授權(quán)十佳企業(yè)、蘇州工業(yè)園區(qū)知識產(chǎn)權(quán)高質(zhì)量創(chuàng)造獎、江蘇省百件優(yōu)質(zhì)發(fā)明專利、江蘇省高質(zhì)量發(fā)明專利、蘇州市優(yōu)秀專利獎、國家高新技術(shù)企業(yè)、蘇州市獨角獸培育企業(yè)、蘇州市企業(yè)工程技術(shù)研究中心等一系列資質(zhì)和榮譽。蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司將一直秉承著“成為世界領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體材料供應(yīng)商”的愿景，為客戶創(chuàng)造價值。